14.二氯二氢硅(SiH2Cl2)常用于外延法工艺中重要的硅源。该物质易燃、有毒,与水接触易水解,沸点为8.2 ℃。

14.二氯二氢硅(SiH2Cl2)常用于外延法工艺中重要的硅源。该物质易燃、有毒,与水接触易水解,沸点为8.2 ℃。在铜催化作用下,HCl与硅在250~260 ℃反应可以制得SiH2Cl2
 

 

(1)利用浓硫酸、浓盐酸为原料,选用A装置制取HCl,利用了浓硫酸的    性。 
(2)D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为                        。 
(3)按照气体从左到右的方向,制取SiH2Cl2的装置(h处用止水夹夹好)连接顺序为a→(  )→(  )→(  )→(  )→(  )→(  )→(  )(填仪器接口的字母,其中装置C用到2次)。
(4)按从左到右的顺序,前面装置C中装的药品为      ,后面装置C的作用为                                   。 
(5)反应除生成二氯二氢硅之外,还会生成H2和          等。 
(6)新的制取SiH2Cl2的方法:往硅粉中先通入Cl2,在300~350 ℃反应生成SiCl4,然后再与HCl在250~260 ℃反应,可以大大提高产率。如果通入气体顺序相反,结果会                         (用化学方程式表示)。 

答案(1)吸水 (2)Si+2HClSiH2Cl2
(3)d e f g b c d
(4)P2O5或无水CaCl2 尾气处理和防止空气中的水进入B中 (5)SiCl4 SiHCl3 (6)SiH2Cl2+2Cl2SiCl4+2HCl(或SiH2Cl2+Cl2SiHCl3+HCl)

解析(1)浓硫酸有吸水性,使浓盐酸更易挥发出HCl。
(2)根据题意并利用原子守恒法配平反应的化学方程式。
(3)利用A装置制取HCl,连接C装置干燥,从f进入D中反应,SiH2Cl2从g处挥发,在B装置中收集,SiH2Cl2的密度比空气大,导气管应长进短出,为防止空气中的水蒸气进入B中,则应在B装置后连接干燥管。
(4)前面的装置C是用来干燥氯化氢气体的,干燥剂可选用P2O5或无水CaCl2,后面装置C的作用为尾气处理和防止空气中的水蒸气进入B中,应选碱石灰。
(6)如果通入气体顺序相反,生成的SiH2Cl2会与Cl2继续反应,从而生成SiCl4、SiHCl3

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